类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：200V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5A
　　导通电阻(RDS(on))：约1.2Ω（在VGS=10V时）
　　功耗(PD)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

N5N20A的主要特性包括其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达200V，适用于多种中高功率应用场景。N5N20A的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，这使其在不同的驱动条件下都能保持良好的性能。
　　该器件的封装形式设计有利于散热，如TO-220封装具有良好的热性能，能够有效将热量传导至散热片，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。DPAK封装则适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和紧凑型电路设计。
　　N5N20A还具备快速开关特性，能够在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提高系统效率。这对于现代电源转换器和高效能电子设备来说尤为重要。
　　此外，N5N20A具有良好的热稳定性和过载能力，能够在短时间内承受较高的电流负载，从而提高系统的可靠性和耐用性。这些特性使得N5N20A成为许多电源管理和功率控制应用的理想选择。

N5N20A广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器以及电机控制系统。在电源管理系统中，N5N20A作为高效的开关元件，能够帮助实现电源的高效分配和管理。在DC-DC转换器中，该MOSFET的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，减少能量损耗。
　　在负载开关应用中，N5N20A可以用于控制高电流负载的开启和关闭，保护电路免受过载和短路的影响。电池充电器中使用N5N20A可以实现对充电电流的精确控制，确保电池的安全和高效充电。
　　在电机控制系统中，N5N20A能够作为功率开关元件，控制电机的启停和速度调节，提供稳定可靠的性能。此外，该MOSFET也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中，满足不同应用场景的需求。

FQP5N20C, IRF540N, STP55NF06, FDPF5N20