N5N20 时间：2025/8/2 10:26:46 阅读：40

N5N20是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合在高效率和高功率密度的应用中使用。N5N20采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5A（@25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤3.5Ω（@Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装类型：TO-220/DPAK

特性

N5N20 MOSFET的核心特性在于其优化设计的导通电阻与开关性能之间的平衡，使其适用于中高功率应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了在高温和高电流条件下的稳定性。N5N20的Rds(on)较低，这意味着在导通状态下其功耗更小，有助于提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在严苛工作环境下的可靠性。
　　该器件的开关性能也经过优化，具有较快的上升和下降时间，适用于高频开关电路。N5N20的栅极电荷量适中，能够在驱动电路中实现较低的驱动损耗。同时，其封装设计具有良好的散热能力，使得器件在高功率应用中仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　此外，N5N20具有较高的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这使其在电机驱动、电源开关等可能存在瞬态过载的应用中表现出色。