类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ
　　输入电容（Ciss）：790pF
　　输出电容（Coss）：180pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC
　　封装类型：BGA（晶圆级芯片封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

EPC2101ENG 具备多项卓越的电气和物理特性，使其在高性能电源转换应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）为 8.8mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件无反向恢复电荷（Qrr = 0nC），使得在高频开关应用中能够大幅减少开关损耗，提高转换效率。
　　其次，EPC2101ENG 采用晶圆级 BGA 封装技术，具有极低的封装电感，有助于提升高频性能和降低开关噪声。该封装还支持双面散热，增强了器件在高功率密度设计中的热管理能力。
　　再者，其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适应多种严苛的工作环境。器件具备高击穿电压（100V）和良好的热稳定性，适合在工业、通信和汽车电子等领域使用。
　　最后，EPC2101ENG 无需使用外部驱动电路即可实现快速开关，降低了外围电路的复杂性，提高了系统的可靠性。这些特性使其成为高频电源转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和无线充电设备的理想选择。

EPC2101ENG 适用于多种高性能功率电子系统，包括但不限于以下应用：
　　1. 高频 DC-DC 转换器：由于其低导通电阻和无反向恢复电荷的特性，EPC2101ENG 非常适合用于高频同步整流拓扑（如 LLC 和相移全桥），可显著提高转换效率并减小磁性元件体积。
　　2. 服务器和通信电源：在高功率密度需求的服务器电源和电信设备中，EPC2101ENG 能够实现更高效的功率转换，减少散热需求并提升整体系统性能。
　　3. 无线充电系统：其快速开关能力和低损耗特性使其适用于无线充电发射端的功率开关，提高能量传输效率。
　　4. LED 照明驱动器：在高亮度 LED 驱动应用中，EPC2101ENG 可以实现高效率的恒流控制和调光功能。
　　5. 电池管理系统（BMS）与负载开关：该器件可用于高效率的电池充放电管理和负载开关控制，提供快速响应和低导通损耗。
　　6. 功率因数校正（PFC）电路：在有源 PFC 拓扑中，EPC2101ENG 可用于提高输入功率因数并减少谐波失真。

EPC2110、GS61004B、LMG5200、SiC 功率器件如 Cree 的 C3M0065090J