时间：2025/12/25 5:36:40
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N5C090-60 是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于需要高电压和高功率处理能力的电子电路中。这种型号的MOSFET具备较高的漏源击穿电压（Vds）和良好的导通电阻（Rds(on)）特性，使其适用于各种工业和消费类应用。N5C090-60采用TO-220封装，具有良好的热性能和电气性能，能够承受较大的电流和较高的工作温度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：12A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
N5C090-60的主要特性之一是其高漏源击穿电压（Vds）为900V，这使得该器件非常适合用于高电压应用，如电源转换器和马达控制电路。其栅源电压（Vgs）为±30V，表明该器件能够在较宽的电压范围内稳定工作。
另一个重要特性是其漏极电流（Id）最大可达12A，这使得N5C090-60在高功率应用中表现出色。导通电阻（Rds(on)）最大为0.45Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，从而提高了整体效率。
此外，N5C090-60的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热片或环境空气中，从而确保器件在高温环境下依然能够稳定运行。TO-220封装也便于安装和使用，广泛应用于各种电子设备中。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下可靠工作。这种宽温度范围的特性使得N5C090-60在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中都有广泛的应用。
N5C090-60广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制电路。此外，它也常用于LED照明驱动电路和家用电器中的电源管理模块。
建议的替代型号包括：STP12NM50N、IRFBC40、以及FQA12N90C。这些型号在电气特性和封装上与N5C090-60相似，可以作为替代选择。
