时间：2025/3/26 8:46:13
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N588H170 是一款高性能的功率MOSFET，采用N沟道增强型场效应晶体管技术。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
该型号的封装形式通常为TO-220或TO-252，适合于需要较大电流承载能力的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：34nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
N588H170 具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用中表现出色，同时发热量较低。此外，该器件还具备较高的雪崩击穿能力和较强的抗静电能力，能够在恶劣环境下稳定运行。
其快速开关特性有助于减少开关损耗，由于采用了先进的制造工艺，N588H170 在可靠性和一致性方面也有很好的表现。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流/直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 汽车电子中的各种功率管理模块
该器件凭借其优异的性能，在工业、消费类电子及汽车市场中均有广泛应用。
N588L170
N589H170
