类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.65Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值 34nC
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

N500CH32 MOSFET 具备多项优秀的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其主要特性包括高耐压能力、低导通电阻以及出色的热管理能力。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，N500CH32 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动特性也经过优化，使得其在高频开关应用中表现出色。较低的栅极电荷（Qg）意味着在高频工作时，所需的驱动功率较小，从而减少驱动电路的设计复杂度并提高系统的响应速度。此外，N500CH32 的封装形式（TO-220AB）具有良好的散热性能，可有效将热量传导至散热器，确保在高负载条件下依然保持良好的工作稳定性。
　　这款MOSFET还具有良好的短路保护能力，即使在异常工作条件下，也能提供较高的可靠性和安全性。其高耐用性使其适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用，如电机驱动器、DC-DC转换器、电源管理系统和电池充电器等。

N500CH32 主要应用于高功率开关电路、DC-DC转换器、马达控制器、电源管理模块、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。其优异的性能也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。

STP550N10A, IRFP460, FDPF5N50, FQA10N50