50SVPK10M是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效率和低功耗的开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。
该型号属于高压功率MOSFET系列,能够承受较高的漏源电压,并且在高频开关条件下仍能保持优异的性能。
最大漏源电压:1000V
连续漏极电流:50A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:120nC
总电容:30pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
50SVPK10M具有出色的电气特性和机械稳定性。它采用了超结(Super Junction)技术,从而显著降低了导通电阻,提高了整体效率。此外,其快速恢复体二极管特性有助于减少开关损耗,适合高频应用场景。
器件封装通常为TO-247或TO-220,这不仅便于散热设计,还提供了可靠的电气连接。该产品对dv/dt耐受能力强,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行,同时具备较低的热阻,确保长期使用的可靠性。
该MOSFET支持零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS)技术,这对于提升系统效率和降低电磁干扰(EMI)非常关键。此外,其短路保护能力和雪崩击穿能量(EAS)表现优秀,进一步增强了产品的鲁棒性。
50SVPK10M被广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器、工业电机驱动以及高效DC-DC转换器。
在UPS中,这款MOSFET可以作为主开关元件,提供可靠且高效的能量转换;在太阳能逆变器中,它的快速开关速度和低导通电阻可最大程度地提高光伏系统的发电效率。
对于电动车市场,50SVPK10M凭借其大电流处理能力及高耐压等级,成为驱动控制器的理想选择。同时,它也适用于消费类电子产品中的适配器和充电器,帮助实现小型化与高效化。
IRFP460,
STW98N10,
FDP5700,
IXTH100N10T2