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N4085ZC120 发布时间 时间:2025/8/23 11:53:43 查看 阅读:17

N4085ZC120 是一款由日本半导体制造商东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用N沟道结构,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化系统等场景。N4085ZC120具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承受能力,能够在较高的工作频率下保持良好的效率,是工业和汽车电子系统中常用的功率开关元件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):80A
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):10.5mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-247

特性

N4085ZC120的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为10.5mΩ,在高电流应用中可以显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,使得在保持低导通电阻的同时,也具备优异的开关性能,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
  N4085ZC120的封装形式为TO-247,这种封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合在高功率密度和高温环境下工作。此外,TO-247封装也便于安装在散热器上,从而进一步提高散热效率。
  该MOSFET的最大漏极电流为80A,漏源电压可达120V,能够承受较大的工作电流和电压应力,适用于如电机驱动、电源供应器和工业自动化设备等高功率应用场景。栅源电压容限为±20V,确保在不同的驱动条件下仍能保持稳定工作。
  器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。这使得N4085ZC120在汽车电子、工业控制系统和通信设备中均有广泛应用。

应用

N4085ZC120广泛应用于各种高功率电子系统中。首先,在电源管理系统中,例如服务器电源、电信电源和开关电源(SMPS),它作为主开关器件用于高效能的功率转换。其次,在DC-DC转换器中,由于其低导通电阻和优异的开关性能,能够有效提升转换效率,适用于电动汽车充电系统和工业电源模块。
  此外,该器件也常用于电机控制和驱动电路中,例如工业自动化设备、电动工具和机器人系统,其高电流承载能力和快速开关特性可确保电机运行平稳且响应迅速。在汽车电子领域,N4085ZC120可用于车载逆变器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)等关键部件。
  由于其高可靠性和宽工作温度范围,N4085ZC120也适用于高可靠性要求的通信设备、不间断电源(UPS)系统和可再生能源系统(如太阳能逆变器)等应用场景。

替代型号

SiHF80N120E、IXFH80N120、IRFP4468PBF

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