N2TU25H16AG-3C 时间：2025/9/2 5:09:17 阅读：7

N2TU25H16AG-3C 是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）模块，专为高速数据存储和处理应用设计。这款SRAM模块具备高速访问时间、低功耗和高可靠性等优点，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及高性能计算设备中。其主要特点是提供稳定的非易失性存储解决方案，适用于对数据访问速度要求较高的场合。

参数

容量：256 Kbit
　　组织结构：16位x16K
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　访问时间：最大10ns
　　工作温度范围：工业级-40°C至+85°C
　　封装形式：54引脚TSOP
　　接口类型：并行接口
　　功耗：典型值50mA（工作模式）
　　待机电流：最大10μA

特性

N2TU25H16AG-3C SRAM模块采用了先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高稳定性。该模块支持异步操作，适用于需要快速读取和写入的应用场景。其高速访问时间为10ns，使得数据处理效率大幅提升。此外，该SRAM模块的电源电压范围为2.3V至3.6V，使其兼容多种电源供应系统，并能够在不同电压环境下稳定运行。
　　该器件还具备宽温度范围特性，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于恶劣的工业环境。封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其并行接口设计支持高速数据传输，并且与大多数微处理器和控制器兼容，便于集成到现有系统中。
　　此外，N2TU25H16AG-3C具有高抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性和稳定性。其低待机电流特性（最大10μA）有效延长了电池供电设备的使用寿命，适用于便携式电子设备和远程监控系统。这些特性使得该SRAM模块成为高性能嵌入式系统、工业控制、网络设备和通信系统中的理想选择。

应用

N2TU25H16AG-3C SRAM模块广泛应用于各种高性能电子系统中。其高速数据存储特性使其适用于需要快速数据访问的嵌入式控制系统，如工业自动化设备、智能仪表和数据采集系统。此外，该模块也常用于网络和通信设备中的缓存存储，以提高数据传输效率和系统响应速度。
　　由于其低功耗和宽温度范围特性，该SRAM模块也适用于户外和工业环境下的远程监控系统、车载电子设备以及智能电网设备。在消费类电子产品中，它可用于便携式设备如手持终端、无线传感器和穿戴设备，提供可靠的高速存储解决方案。此外，该模块还可用于高端音频和视频处理设备，确保数据的实时处理和存储稳定性。