类型：EEPROM
　　容量：512 Kbit (64KB)
　　组织结构：64K × 8 位
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大访问时间：150 ns
　　工作电流：典型值 30mA（读模式）
　　待机电流：≤ 100μA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部Vpp
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　封装形式：28-pin DIP, 28-pin PLCC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　写周期寿命：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 10 年

N28F512-150具备多项关键特性，使其在上世纪90年代至2000年代初广泛应用于各类嵌入式系统中。首先，该器件采用Intel的ETOX（EPROM Tunnel Oxide）工艺制造，确保了高可靠性与长期的数据保持能力。其内置电荷泵电路能够在标准5V电源下完成编程和擦除操作，无需额外提供高压编程电源（Vpp），简化了系统电源设计并降低了整体成本。其次，该芯片支持块擦除和字节编程功能，用户可以灵活地更新部分数据而不影响其余内容，提高了存储管理效率。在操作模式方面，N28F512-150支持标准读取、快速编程、批量擦除以及待机模式等多种操作指令，通过特定的命令序列（如写入地址和数据组合）来控制内部状态机，实现对存储阵列的安全访问。
　　另一个重要特性是其硬件写保护机制。通过将WE（Write Enable）或 CE（Chip Enable）信号与其他控制线配合使用，系统可以在物理层面防止意外写入或擦除操作，从而保护关键固件代码不被篡改。此外，该器件具备较强的抗干扰能力和稳定性，在电磁噪声较强的工业环境中仍能可靠运行。其150ns的访问速度足以满足当时主流8/16位处理器的需求，例如80C31、80C186等，因此常用于BIOS存储、配置参数保存、启动代码存放等用途。
　　N28F512-150还具备良好的兼容性，引脚排列与标准SRAM和EPROM（如27C512）相似，便于系统升级替换。尽管其编程算法较为复杂，需遵循Intel规定的写入协议（包括解锁序列、命令加载等步骤），但配套开发工具和编程器支持完善，降低了开发难度。虽然现代应用更多转向SPI接口的小体积Flash，但N28F512-150在遗留系统的维护、逆向工程和备件替换中仍具有不可替代的价值。

N28F512-150广泛应用于多个工业和技术领域，尤其是在需要非易失性程序存储且支持现场升级的系统中表现突出。一个典型应用场景是嵌入式控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表，这些设备通常需要在断电后保留程序代码，并能在现场通过调试接口进行更新。由于该芯片支持在线编程，因此非常适合远程维护和软件版本迭代。
　　在通信设备中，N28F512-150曾被用于存储路由器、交换机或调制解调器的引导程序（Bootloader），确保设备上电后能正确初始化硬件并加载操作系统。其较快的读取速度有助于缩短启动时间，提高系统响应效率。此外，在消费类电子产品如老式打印机、传真机和POS终端中，该芯片也常用于保存设备配置信息、语言包或用户自定义设置。
　　军事和航空电子系统也曾采用此类器件，因其具备较高的稳定性和长期供货保障（在其生命周期内）。在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，N28F512-150可用于存储校准数据、用户界面菜单和测量算法程序。尽管目前已被更先进的闪存技术取代，但在设备维修、备件替换和系统仿制过程中，了解其应用背景对于工程师至关重要。

M28F512-150
　　AM28F512-150
　　W29C512-150