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IRLR3714ZPBF 发布时间 时间:2025/7/3 17:20:23 查看 阅读:9

IRLR3714ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制程技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为Pb-Free的TO-252 (DPAK),具有出色的散热性能和可靠性。
  IRLR3714ZPBF 的设计使其非常适合用于消费电子、工业设备以及通信电源中的负载开关、DC/DC转换器、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:6.9nC(典型值)
  总功耗:33W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRLR3714ZPBF 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 高额定电流能力,支持大功率负载。
  4. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  5. Pb-Free封装符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 优异的热稳定性,确保长期运行中的安全性与可靠性。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC/DC和DC/DC转换器。
  2. 各类负载开关及保护电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动。
  5. 消费电子产品中的高效功率管理模块。
  6. LED照明驱动器及汽车电子中的相关应用。

替代型号

IRLR3714TRPBF, IRLR3714SPBF

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IRLR3714ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 10V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLR3714ZPBF