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N25Q128A21ESFA0G 发布时间 时间:2025/7/14 15:32:48 查看 阅读:9

N25Q128A21ESFA0G 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为128Mbit(即16MB)。该芯片基于NOR型Flash技术设计,适用于需要可靠存储和快速访问的应用场景。它支持标准SPI(Serial Peripheral Interface)、双输出SPI和四输出SPI等多种接口模式,具有广泛的适用性和灵活性。N25Q128A21ESFA0G 主要用于嵌入式系统中的程序存储和数据存储,例如工业控制、消费电子、通信设备等领域。

参数

容量:128Mbit (16MB)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  接口类型:SPI, Dual SPI, Quad SPI
  读取频率:最大可达104MHz
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  封装形式:SOIC 8引脚
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

N25Q128A21ESFA0G 的核心优势在于其高可靠性、多功能性和高效性能。
  首先,该芯片采用了先进的工艺制造,确保了在恶劣环境下的稳定运行,适用于工业级应用的需求。其支持多种操作电压范围(2.3V至3.6V),适应不同供电条件的设计需求,同时具备低功耗的特点,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长便携设备的电池寿命。
  其次,该闪存芯片提供了灵活的接口选项,包括传统的单线SPI、双线SPI和四线SPI接口模式,允许用户根据不同的速度与带宽需求选择合适的接口配置。四线SPI模式下可实现高达104MHz的时钟频率,显著提升数据传输效率。
  N25Q128A21ESFA0G 还具备强大的擦写能力,单次页编程时间仅需约0.7ms,并且提供灵活的擦除选项,包括按扇区(4KB)、块(64KB或更大的区域)以及整片擦除功能,从而优化存储管理并减少不必要的擦除延迟。此外,芯片内置硬件写保护机制和软件写保护寄存器,防止意外数据修改或丢失,进一步增强了系统的稳定性。
  最后,该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装,适合空间受限的设计方案,同时满足RoHS环保标准要求。

应用

N25Q128A21ESFA0G 通常被广泛应用于对存储容量和稳定性有较高要求的嵌入式系统中,例如网络设备、物联网模块、智能家居控制器、医疗仪器、汽车电子等。具体应用场景包括固件更新、引导代码存储、图形资源缓存、日志记录存储等。
  在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)或其他自动化设备的程序存储,保证控制系统长期稳定运行。
  在消费类电子产品中,如智能手表、穿戴设备、无线耳机等,该芯片能够提供可靠的非易失性存储解决方案,用于保存关键配置信息和用户个性化数据。
  此外,在通信设备中,N25Q128A21ESFA0G 常用于路由器、网关等设备的启动代码存储,确保系统在上电后能快速加载操作系统和应用程序。
  由于其优异的性能指标和广泛的兼容性,该芯片也常用于开发板和评估套件中,作为学习和测试平台的标准存储组件。

替代型号

N25Q128A13EF800E, N25Q128A13ESFA0E, S25FL128SAGBHI010