类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：SOT-26 (SC-88A)
　　配置：双二极管共阴
　　最大重复反向电压 (VRRM)：30 V
　　最大直流反向电压 (VR)：30 V
　　峰值脉冲电流 (IFSM)：300 mA
　　最大正向连续电流 (IO)：200 mA
　　最大正向压降 (VF)：450 mV @ 100 mA
　　最大反向漏电流 (IR)：0.1 μA @ 25°C, 25 V
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 (TSTG)：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　通道数：2
　　反向恢复时间 (trr)：典型值 < 1 ns

N2526-6002-RB的核心特性在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结实现单向导电性，避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而显著提升了开关速度并降低了正向导通压降。该器件在100 mA电流下的典型正向压降仅为450 mV，远低于普通硅二极管的700 mV以上水平，因此在低电压、高效率的应用场景中表现出色。低VF不仅减少了功率损耗，还降低了热耗散需求，有助于提升系统整体能效。
　　该器件的反向恢复时间极短（通常小于1纳秒），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关电路中不会产生明显的开关噪声或电磁干扰（EMI），特别适合用于高速数据线路的瞬态抑制和信号整形。此外，由于其快速响应能力，N2526-6002-RB常被用作USB接口、音频线路或传感器信号路径中的ESD保护元件，能够有效吸收IEC 61000-4-2规定的±8 kV接触放电和±15 kV空气放电等级的静电冲击。
　　SOT-26封装尺寸小巧（约2.1 mm × 1.6 mm × 0.9 mm），引脚间距为0.65 mm，兼容自动化贴片工艺，适用于大规模生产环境。尽管体积小，但该封装具备良好的散热性能，结合合理的PCB布局设计（如添加热焊盘或接地层）可进一步提升其热管理能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。
　　值得注意的是，虽然单个二极管的最大平均整流电流为200 mA，但在实际应用中需考虑功耗与温升关系，尤其是在高温环境中应适当降额使用以保证可靠性。该器件不具备雪崩耐受能力，因此不建议用于高能量瞬态防护场合。总体而言，N2526-6002-RB以其紧凑结构、高效性能和高可靠性，在现代电子系统中扮演着关键角色。

N2526-6002-RB广泛应用于多种需要小型化、高效率和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源轨保护，例如在锂电池供电的设备中用于防止反向电流流动或进行电压钳位，以保护敏感的IC免受过压或反接损害。在USB接口电路中，该器件可用于D+和D-数据线的ESD防护，吸收来自人体或外部环境的静电放电脉冲，保障通信芯片的安全运行。
　　此外，它也常用于LCD偏压生成电路或DC-DC转换器的同步整流辅助路径中，利用其低正向压降减少能量损失。在音频信号路径中，该二极管阵列可作为钳位电路的一部分，限制输入信号幅度，防止后级放大器因过驱动而失真或损坏。在传感器接口设计中，可用于信号调理电路中的电平限制和噪声抑制。
　　由于其双共阴极结构，N2526-6002-RB特别适合用于双路信号通道的并行保护，比如I2C总线、SPI通信线路或其他差分/单端信号传输路径。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的低压信号保护环节。同时，因其符合AEC-Q101应力测试标准的部分要求（具体需查阅最新规格书确认），也可用于非关键性的车用电子组件中。

MBRS230LT3G
　　SMS7621-TR
　　DMCA2500U-7
　　FMMT222TA