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SMV1249-079 发布时间 时间:2025/8/22 4:25:00 查看 阅读:15

SMV1249-079 是 Skyworks Solutions 公司生产的一款 GaAs(砷化镓)变容二极管(Varactor Diode),主要用于射频(RF)和微波频率调谐应用。该器件采用表面贴装封装,具有高 Q 值、宽电容调谐范围和良好的线性特性,适用于压控振荡器(VCO)、频率合成器和调谐滤波器等高频电路。SMV1249-079 特别设计用于在高频下提供稳定和可重复的性能,适用于无线通信、测试设备和射频模块。

参数

类型:GaAs 变容二极管
  封装类型:表面贴装(SOT-26)
  电容范围(@1 MHz):约 2.8 pF 至 20 pF
  最大反向电压:20 V
  最大功耗:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  Q 值(@1 MHz):>1000
  电容比(Cmax/Cmin):>7:1

特性

SMV1249-079 采用先进的 GaAs 工艺制造,具有优异的高频性能和低插入损耗。其主要特性包括宽电容调谐范围,使得该器件非常适合用于需要广泛频率调谐的应用,如压控振荡器(VCO)。该变容二极管的高 Q 值确保了在高频下具有极低的损耗,提高了系统的整体性能。此外,其 SOT-26 小型封装便于在高密度 PCB 设计中使用,并提供良好的热稳定性和机械稳定性。该器件的电容随控制电压变化呈现良好的线性关系,有助于减少频率调制过程中的失真。此外,其宽工作温度范围使其适用于工业和高温环境下的应用。
  在电气特性方面,SMV1249-079 的电容随反向偏置电压的变化而变化,典型值在 1 MHz 下从约 2.8 pF(在 20 V 偏置)到 20 pF(在 1 V 偏置)。其最大反向电压为 20 V,适用于多种偏置电路配置。由于其高 Q 值和低串联电阻,该器件在 1 GHz 以上的频率范围内仍能保持良好的性能,适用于无线通信系统中的本地振荡器调谐和滤波器调节。

应用

SMV1249-079 主要用于需要高稳定性和宽调谐范围的射频和微波电路。典型应用包括压控振荡器(VCO)、频率合成器、调谐滤波器、射频衰减器以及无线基础设施设备中的频率调节模块。此外,它也广泛用于测试和测量设备、卫星通信系统、微波链路和射频识别(RFID)系统。由于其优异的高频性能,该变容二极管适用于从几百 MHz 到几 GHz 的工作频率范围,特别适合对频率稳定性和调谐精度有较高要求的应用场景。

替代型号

BB109S, SMV1230-079, MVAM103, HC910S

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