时间：2025/7/23 4:53:11
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N18FPVLI是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻和高开关性能。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场合。N18FPVLI的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
连续漏极电流(ID)：18A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：0.095Ω @ VGS=10V
功率耗散(PD)：150W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
N18FPVLI具有优异的导通性能和开关特性，适用于高效率的功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的性能和可靠的耐用性。此外，N18FPVLI具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下稳定工作。
N18FPVLI的TO-220封装形式有助于快速散热，保证器件在高电流条件下的稳定性。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，适用于PWM控制、负载切换和高频开关应用。此外，N18FPVLI的结构设计优化了开关损耗，减少了电磁干扰（EMI），提高了整体系统的稳定性。
N18FPVLI广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、负载开关、逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等。
IRF1405, FDP18N10, FQP18N10L
