时间:2025/12/26 20:44:54
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2SK1714是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道MOSFET场效应晶体管,专为高频开关应用设计,广泛应用于电源转换、DC-DC变换器以及小型电子设备的功率控制电路中。该器件采用小型表面贴装封装(S-Mini),具有低导通电阻和快速开关特性,适合高效率、紧凑型电源系统的设计需求。2SK1714主要面向便携式电子产品和消费类电子设备,如笔记本电脑、移动电源、LED驱动电源等。其结构优化了栅极电荷和输出电容,有助于降低开关损耗,提升整体能效。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。
型号:2SK1714
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5.0A(在TC=25°C时)
脉冲漏极电流(Idm):20A
导通电阻(Rds(on)):28mΩ(max,Vgs=10V)
栅极阈值电压(Vth):1.0V~2.5V
输入电容(Ciss):600pF(typ,Vds=15V)
输出电容(Coss):130pF(typ)
反向传输电容(Crss):40pF(typ)
开启延迟时间(td(on)):10ns
关断延迟时间(td(off)):25ns
工作结温范围:-55°C~+150°C
封装形式:S-Mini(超小型表面贴装)
2SK1714的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),最大仅为28mΩ(在Vgs=10V条件下),这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了电源系统的整体效率。该特性特别适用于大电流、低电压的DC-DC转换器应用,例如同步整流电路中作为下管或上管使用。低Rds(on)意味着在相同电流下产生的热量更少,从而减少了散热设计的复杂性,允许在紧凑空间内实现高效功率管理。
另一个关键特性是其优异的开关性能。2SK1714具有较低的栅极电荷(Qg)和米勒电容(Crss),使得器件在高频开关应用中表现出色。开启延迟时间约为10ns,关断延迟时间为25ns,确保了快速的开关响应,有助于减少开关过程中的交越损耗。这对于提高开关电源的工作频率、缩小外围电感和电容尺寸至关重要,尤其适合现代便携式设备对小型化和高能效的双重需求。
该器件采用S-Mini封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。相比传统SOT-23或SC-70封装,S-Mini在保持良好散热性能的同时进一步减小了占板面积,提升了单位面积内的功率处理能力。此外,2SK1714具备良好的热稳定性,其最大工作结温可达+150°C,确保在高温环境下仍能可靠运行。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力,适用于需要续流功能的拓扑结构,如Buck或Boost转换器。
从可靠性角度看,2SK1714通过了严格的工业标准测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环测试,确保长期使用的稳定性。其±20V的栅源电压耐受能力提供了额外的保护裕度,防止因驱动信号异常导致的栅氧层击穿。综合来看,2SK1714在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是中小功率开关电源中理想的功率开关元件。
2SK1714广泛应用于各类中小功率开关电源系统中,尤其是在对空间和效率要求较高的便携式电子设备中表现突出。典型应用包括笔记本电脑和移动设备中的DC-DC降压(Buck)转换器,用于将电池电压高效地转换为处理器、内存或其他核心组件所需的低电压电源轨。在此类应用中,2SK1714常作为同步整流MOSFET使用,替代传统的肖特基二极管,以降低导通损耗并提升转换效率。
此外,该器件也适用于升压(Boost)转换器,用于驱动白光LED背光或为相机闪光灯提供瞬时高电压。在这些应用中,其快速开关能力和低输出电容有助于实现高频率操作和紧凑的外围电路设计。2SK1714还常见于USB充电模块、便携式电源适配器和无线充电接收端的电源管理电路中,作为主开关或同步整流开关使用。
在工业控制和消费类电子产品中,2SK1714可用于电机驱动、继电器驱动或负载开关电路,实现对负载的精确通断控制。其表面贴装封装便于自动化生产,适合大规模贴片组装工艺。由于其良好的热性能和电气稳定性,该器件也能在环境温度变化较大的应用场景中稳定工作,如车载电子辅助电源或户外便携设备。
在LED照明领域,特别是低压直流供电的LED灯条或智能照明模块中,2SK1714可用于恒流驱动或PWM调光控制,利用其快速响应特性实现精准的亮度调节。总之,2SK1714凭借其高效率、小尺寸和高可靠性,成为现代电子系统中不可或缺的功率开关元件之一。
2SK3018
Si2302DDS
AON6202
FDS6680A