类型：单向TVS二极管
　　击穿电压（Vbr）：最小1.38V，典型值1.54V，最大1.7V（测试电流Itp=10mA）
　　反向待机电压（Vrwm）：1.0V
　　最大钳位电压（Vc）：约3.5V（在峰值脉冲电流下）
　　峰值脉冲功率（Pppm）：1000W（10/1000μs波形）
　　峰值脉冲电流（Ippm）：最高可达28.6A
　　漏电流（Ir）：≤1μA（在Vrwm=1.0V时）
　　响应时间：≤1ps（理论上为雪崩击穿机制决定）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：MS-3（微型表面贴装封装，类似SOD-323或SC-76）
　　极性：单向

N1.25-MS3 具备卓越的瞬态电压抑制能力，尤其适用于低电压供电环境下的电路保护。其核心特性之一是极低的击穿电压阈值，使其能够在微弱过压条件下迅速激活，及时分流有害电流，避免对后续精密集成电路造成损害。该器件采用先进的硅半导体工艺制造，确保了稳定的电气性能和高度一致的击穿特性。由于其单向结构设计，适用于直流系统中的正向偏置保护场景，例如电源输入端口、电池连接线或稳压模块前端。在面对 ESD 事件时，N1.25-MS3 可以承受高达 ±30kV 的空气放电冲击（依据 IEC 61000-4-2 Level 4 标准），表现出优异的抗干扰能力。
　　另一个关键优势在于其紧凑的 MS-3 封装，不仅节省 PCB 面积，还具备良好的热传导性能，在连续多次浪涌冲击下仍能维持可靠运行。此外，该 TVS 二极管具有非常低的动态电阻，这意味着在导通状态下其两端电压上升缓慢，从而实现更低的钳位电压，进一步提升保护效果。这种低阻抗特性对于保护现代 CMOS 工艺制成的 IC 至关重要，因为这些器件通常只能承受几伏以内的瞬时过压。N1.25-MS3 还具备出色的循环耐久性，可反复经历数千次浪涌事件而不发生性能退化，确保长期使用的稳定性与安全性。其无铅环保设计也符合 RoHS 和 REACH 法规要求，适合用于消费电子、工业控制及汽车电子等多种领域。

N1.25-MS3 广泛应用于各类需要低电压过压保护的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的 USB 接口、充电端口及电池管理电路，用于抵御日常使用中可能发生的静电放电或误插拔导致的电压突变。在通信领域，它常被部署于 RS-232、I2C、SPI 和其他低速数据总线的信号线上，防止外部干扰引起的信号畸变或芯片损坏。此外，在电源管理系统中，特别是那些采用 1.8V 或 2.5V 逻辑电平的嵌入式处理器、FPGA 和 ASIC 芯片周围，N1.25-MS3 可作为第一道防线，拦截来自电源轨的瞬态噪声或开关电源启动过程中的电压尖峰。
　　工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理电路、PLC 输入输出模块以及远程监控设备的前端保护，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。在汽车电子方面，尽管其功率等级不适用于主电源总线保护，但在车载信息娱乐系统的辅助接口、CAN 总线收发器外围或车内照明控制单元中仍有应用潜力。此外，医疗电子设备中对可靠性和安全性要求极高，N1.25-MS3 凭借其快速响应和低泄漏特性，可用于病人连接设备的信号隔离与保护，防止意外电击或干扰影响诊断精度。总体而言，任何涉及低电压、高灵敏度电路且面临电磁干扰风险的应用场景，都是 N1.25-MS3 发挥作用的理想选择。