类型：N沟道MOSFET/肖特基二极管组合
　　最大漏源电压（VDS）：25 V
　　最大连续漏极电流（ID）：14 A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值1.3 V，测试条件25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值12 mΩ @ VGS = 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值800 pF
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：典型值40 °C/W

FSS250-TL-E的核心特性之一是其超低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件在VGS = 4.5V时，RDS(on)最大仅为9.5mΩ，使其非常适合用于大电流开关应用，如同步整流DC-DC转换器。低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计并提高系统的长期可靠性。
　　该器件采用先进的PowerPAK SO-8封装技术，这种封装具有优异的热传导性能，能够有效将芯片产生的热量传递到PCB上，从而实现高效的散热管理。与传统SO-8封装相比，PowerPAK去除了引线框架，直接通过铜夹连接源极和漏极，大大降低了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能。此外，该封装结构也增强了机械稳定性，适合在振动或冲击环境中使用。
　　FSS250-TL-E具备良好的栅极电荷（Qg）特性，总栅极电荷低至典型值15nC（@VGS=4.5V），这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动损耗并提升开关速度。这对于高频开关电源尤为重要，因为高频操作要求快速且低能耗的开关动作以维持高效率。同时，低输入电容（Ciss）也有助于减少驱动回路中的振铃现象，提高EMI性能。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表现出卓越的环境适应能力，可在极端温度条件下可靠运行。其热阻RθJA典型值为40°C/W，表明其具有较强的散热能力，即使在高功率密度设计中也能保持合理的温升。此外，该器件经过优化设计，具备一定的雪崩能量承受能力，在遭遇电压尖峰或瞬态过压时能提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
　　FSS250-TL-E符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制单元。它还支持无铅焊接工艺，满足现代绿色制造的要求。总体而言，FSS250-TL-E是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案，特别适合空间受限但对效率和热性能有严格要求的应用场景。

FSS250-TL-E广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。主要应用领域包括便携式消费类电子产品中的电池电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的DC-DC降压转换器。在这些设备中，FSS250-TL-E作为同步整流器使用，可以显著提高转换效率，延长电池续航时间。
　　在服务器和通信电源系统中，该器件可用于多相电压调节模块（VRM），为CPU和GPU等高性能处理器提供稳定的低压大电流供电。其低导通电阻和优良的热性能确保在高负载条件下仍能保持高效运行，减少系统整体能耗。
　　工业控制系统中的电机驱动、PLC模块以及I/O接口板也常采用FSS250-TL-E作为负载开关或电源路径控制元件。其快速开关能力和高可靠性有助于提升系统响应速度和稳定性。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车身电子模块、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及LED照明驱动电路。由于通过AEC-Q101认证，FSS250-TL-E能够在恶劣的汽车环境下长期稳定工作，抵抗高温、振动和电气噪声干扰。
　　此外，FSS250-TL-E还可用于分布式电源架构中的中间总线转换器（IBC），实现从较高母线电压（如12V）向负载点（POL）转换的高效隔离或非隔离设计。其小尺寸封装也有利于实现紧凑型电源模块设计，满足现代电子产品小型化趋势的需求。

SiR250DP-T1-GE3,SiR280DP,SZBTS5045DG,IRLL3303PBF