时间：2025/6/12 0:54:04
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N055AT56是一款高性能的MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频应用中提供高效的功率转换。其采用TO-252封装形式，适合表面贴装技术（SMT），有助于提高生产效率并降低组装成本。
作为一款N沟道增强型场效应晶体管，N055AT56在设计上优化了静态和动态特性，以满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。同时，它具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：5.1A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：7nC
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55°C至+150°C
1. 低导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型化的TO-252封装，节省PCB空间，并兼容表面贴装工艺。
4. 出色的热稳定性，支持长时间连续工作。
5. 强大的雪崩击穿能力，增强了器件的可靠性和抗干扰性能。
6. 广泛的工作温度范围，适用于多种环境条件下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC-DC转换器及升压/降压模块。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. 消费类电子产品中的电池管理单元。
N055AL56
N055AS56
