型号：MWSD2012FE100MT
　　制造商：Mitsumi (三美)
　　传感器类型：霍尔效应磁开关
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V
　　工作电流（典型值）：4.5μA @ 3V（待机模式）
　　输出类型：开漏N沟道FET
　　磁感应方向：垂直于封装表面
　　动作点（Bop）：典型8mT
　　释放点（Brp）：典型4m7mT
　　回差（Bhys）：约1～3mT
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN1010-4 或类似微型表面贴装封装
　　尺寸（近似）：1.0mm × 1.0mm × 0.5mm
　　响应时间：典型5ms
　　灵敏度轴向：Z轴（垂直方向）
　　极性识别：对南极敏感（视具体版本而定）
　　ESD耐受能力：±4kV HBM

MWSD2012FE100MT的核心特性之一是其极低的静态功耗，使其非常适合应用于各类电池驱动的便携式设备中。在无磁場環境下，該傳感器處於休眠狀態，僅消耗極少量電流（典型值為4.5微安），而在檢測到有效磁場並觸發輸出切換時，其動態電流也維持在較低水平。這對於延長移動設備的待機時間至關重要。其次，該器件採用了先進的CMOS霍爾集成技術，內部集成了霍爾板、前置放大器、溫度補償電路、施密特觸發器以及開漏輸出級，實現了高度集成化與穩定性。施密特觸發設計提供了足夠的磁滯迴差（Bhys），有效防止因磁場波動或振鈴導致的誤觸發現象，確保開關動作的乾淨利落與重複精度。
　　另一個關鍵優勢是其微型封裝結構。DFN1010-4之類的小尺寸封裝允許該傳感器嵌入空間極其有限的印刷電路板設計中，特別是在智能手機、可穿戴設備和小型物聯網終端中具有明顯的佈局優勢。同時，這種封裝也具備良好的熱導性能和機械強度，適應自動化貼片工藝要求。此外，該器件對外部磁場具有明確的方向選擇性（通常是Z軸方向感應），有利於系統進行精確的機械定位設計。其磁參數經過精密校準，動作點與釋放點的一致性高，減少了終端產品在生產過程中的調試難度。
　　MWSD2012FE100MT還具備出色的環境適應能力，可在-40°C至+85°C的工業級溫度範圍內正常運作，適用於多數戶內及部分戶外使用場景。輸出為開漏結構，需外接上拉電阻，兼容多種邏輯電平系統（如1.8V、3.3V、5V TTL/CMOS），提高了接口靈活性。由於採用半導體工藝製造，相比機械開關，它無磨損、壽命長、抗震性強，大幅提升了系統可靠性。最後，該器件通過了RoHS環保認證，符合現代電子產品的綠色製造標準，廣泛受到消費類電子製造商青睞。

MWSD2012FE100MT广泛应用于需要非接触式位置检测的各种电子设备中。最常见的应用场景之一是移动通信设备中的翻盖或滑盖状态检测，例如智能手机和平板电脑中利用该传感器配合磁铁实现屏幕自动开关机或唤醒/休眠功能。当翻盖闭合时，内置磁铁靠近传感器，触发其输出状态变化，系统据此判断设备处于关闭状态并执行相应操作；当打开盖子时，磁场消失，传感器恢复初始状态，从而唤醒屏幕显示。
　　在智能家居和安防领域，该器件可用于门窗开合监测系统。将传感器安装在门框或窗框固定部分，磁铁安装在活动部件上，一旦门窗被打开，磁场分离导致传感器输出跳变，触发报警或通知机制，实现简单高效的入侵检测。同样原理也可用于洗衣机、微波炉、电冰箱等家用电器的门盖状态监控，确保设备在门未关严时不启动，提升安全等级。
　　工业自动化控制系统中，MWSD2012FE100MT可用于限位开关替代方案，特别是在潮湿、粉尘较多或振动频繁的环境中，传统机械开关容易失效，而霍尔传感器则表现出更高的可靠性和耐久性。此外，在便携式医疗设备、电动工具、玩具以及无人机等产品中，该传感器也被用来检测组件是否正确装配或到位。由于其体积小、功耗低、响应快，特别适合集成到高密度PCB设计和电池供电系统中，满足现代电子产品对小型化和节能的需求。

ME1201FHE-A
　　US1881LUA
　　OH1881C-W