IS602B-2ZLI 时间：2025/9/1 11:51:48 阅读：4

IS602B-2ZLI 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用高速CMOS工艺制造，提供高速读写能力以及低功耗特性，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。IS602B-2ZLI属于高速异步SRAM系列，通常用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统等场景。

参数

容量：128K x 8 位
　　组织结构：128K x 8
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：52引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：18mm x 20mm
　　封装引脚间距：0.8mm
　　封装类型：TSOP-II
　　封装材料：塑料
　　输入/输出类型：TTL兼容
　　功耗（典型值）：待机模式下低至10mA
　　最大读取电流：120mA（典型）
　　最大写入电流：150mA（典型）

特性

IS602B-2ZLI具备多项显著特性，使其在各类嵌入式系统和高性能应用中表现出色。首先，其高速访问时间为10ns，确保了数据的快速读取和写入，满足对响应时间要求较高的系统需求。该SRAM采用异步控制逻辑，无需外部时钟信号，简化了系统设计并提高了灵活性。
　　此外，IS602B-2ZLI支持低电压操作（2.3V至3.6V），使其适用于多种电源管理方案，并能在低功耗模式下保持极低的电流消耗（待机电流仅为10mA），适用于对能效敏感的应用环境。
　　该器件采用52引脚TSOP封装，具有优良的散热性能和空间利用率，适合在空间受限的PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级温度环境，确保在极端条件下稳定运行。
　　IS602B-2ZLI还具备高可靠性，支持无限次读写操作，数据保持时间长，无需刷新机制，适用于缓存、临时数据存储、图形缓冲等需要高速数据访问的应用场景。此外，其TTL兼容输入/输出接口简化了与多种微处理器和控制器的连接。

应用

IS602B-2ZLI广泛应用于多个高性能电子系统领域。首先，在工业自动化和控制系统中，该SRAM可用于高速数据缓冲和实时数据处理，提高系统的响应速度和稳定性。其次，在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，IS602B-2ZLI可作为临时存储器用于数据包缓存或协议处理。
　　在网络设备中，该SRAM可用于存储查找表、路由信息和高速缓存数据，提升设备的数据处理能力和吞吐量。此外，在嵌入式系统中，如智能仪表、医疗设备和汽车电子控制系统，IS602B-2ZLI可用于存储程序代码或关键数据，确保系统在断电情况下仍能保持数据完整性。
　　由于其宽温范围和高可靠性，该器件也常用于航空航天、军事电子和恶劣环境下的远程监控系统中。在图像处理和多媒体应用中，例如视频采集设备和图形加速器，IS602B-2ZLI可用于帧缓存和高速数据交换，确保图像流畅无延迟。