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MWI50-12A7 发布时间 时间:2025/8/6 8:55:09 查看 阅读:28

MWI50-12A7 是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)制造的功率MOSFET模块,主要用于高功率电子设备和工业控制系统。这款模块基于先进的MOSFET技术,提供高效的电能转换能力和稳定的性能,适用于需要高可靠性和高效率的场景。MWI50-12A7采用模块化设计,集成了多个MOSFET单元,以实现更高的电流承载能力和更低的导通损耗。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电流(ID):50A
  最大漏源电压(VDS):1200V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.12Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:模块封装
  安装方式:底座安装
  热阻(Rth):根据散热器条件不同而变化

特性

MWI50-12A7的主要特性之一是其高压和高电流处理能力,适用于高功率应用。该模块的导通电阻较低,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其模块化设计不仅增强了系统的可靠性,还简化了电路设计和装配过程。
  该MOSFET模块采用了先进的封装技术,确保了良好的散热性能,使得在高负载条件下也能保持稳定的运行。此外,MWI50-12A7具有良好的抗短路能力,能够在短时过载情况下保持功能完整,从而提高系统的安全性。
  模块的电气性能经过优化,支持快速开关操作,减少开关损耗,并适应高频工作环境。这使得MWI50-12A7适用于各种功率转换设备,如变频器、电机驱动器和电源供应器等。此外,其高可靠性和长寿命设计使其在严苛的工业环境中也能保持稳定性能。

应用

MWI50-12A7被广泛应用于电力电子系统,包括工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备、UPS不间断电源、焊接设备和高频电源转换器等。其高效率和高可靠性使其成为工业自动化和高功率设备的理想选择。
  在电机控制应用中,MWI50-12A7可用于高性能变频器和伺服驱动器,提供精确的速度和扭矩控制。在新能源领域,该模块可应用于光伏逆变器和储能系统的功率转换部分。此外,在电动汽车充电系统中,它可用于AC-DC或DC-DC转换器,以实现高效的电能转换。

替代型号

SKM50GB12T4、FF50R12KT4、IXFN50N120

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MWI50-12A7参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)85A
  • 电流 - 集电极截止(最大)4mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.3nF @ 25V
  • 功率 - 最大350W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E2
  • 供应商设备封装E2