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MWI100-12E8 发布时间 时间:2025/8/6 9:52:14 查看 阅读:28

MWI100-12E8是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的高可靠性MOSFET模块,主要用于工业、电源转换以及电机控制等高功率应用。该模块集成了多个MOSFET晶体管,具有高效率、低导通损耗和快速开关特性。该器件采用绝缘金属基板(IMS)封装,具备良好的热管理和电气隔离性能,适用于需要高可靠性和稳定性的应用环境。

参数

类型:MOSFET模块
  额定电压:1200V
  额定电流:100A
  导通电阻(Rds(on)):典型值约为0.12Ω(具体数值请参考数据手册)
  封装类型:绝缘金属基板(IMS)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  栅极驱动电压:±20V
  短路耐受能力:具备短路保护能力
  安装方式:螺钉安装
  绝缘电压:2500Vrms(典型)

特性

MWI100-12E8是一款高性能的MOSFET模块,具备出色的电气和热性能。该模块采用了先进的沟槽栅极MOSFET技术,使其在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通压降和开关损耗。这种设计不仅提高了整体系统的效率,还降低了散热需求,从而提升了系统的可靠性和寿命。
  模块的绝缘金属基板结构提供了良好的热传导性能,确保器件在高功率运行时保持稳定的工作温度。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在极端工况下保护系统不受损坏,适用于对可靠性要求极高的工业环境。
  在电气隔离方面,MWI100-12E8具备高达2500Vrms的绝缘电压,确保了系统在高压应用中的安全运行。其栅极驱动电压范围宽广,支持灵活的驱动电路设计,适用于多种拓扑结构,如半桥、全桥和斩波器电路等。
  由于其坚固的封装设计和优异的性能参数,MWI100-12E8广泛应用于电源转换、不间断电源(UPS)、电机驱动和可再生能源系统等领域。

应用

MWI100-12E8广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,如工业电机驱动器、变频器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电能质量调节设备。其优异的热管理和电气隔离性能也使其适用于恶劣工作环境下的高电压应用。

替代型号

SKM100GB12T4AG、FF100R12KT4、IXFH100N120

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MWI100-12E8参数

  • 标准包装5
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)165A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1.4mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)7.4nF @ 25V
  • 功率 - 最大640W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E3
  • 供应商设备封装E3