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NSTB1002DXV5T1G 发布时间 时间:2023/4/13 10:40:51 查看 阅读:389

制造商: ON Semiconductor
产品种类:数字晶体管

目录

概述

制造商:ON Semiconductor

产品种类:数字晶体管

配置:Dual Common Base and Collector

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:47 KOhm @ NPN

典型电阻器比率:1 @ NPN

封装 / 箱体:SOT-553-5

直流电流增益 hFE 最小值:80 @ 5mA @ 10V @ NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V @ NPN or 40 V @ PNP

集电极连续电流:- 0.2 A

峰值直流集电极电流:100 mA @ NPN or 200 mA @ PNP

功率耗散:357 mW

最大工作温度:+ 150℃

封装:Reel

最小工作温度:- 55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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NSTB1002DXV5T1G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,40V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-553
  • 供应商设备封装SOT-553
  • 包装带卷 (TR)