容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 FBGA
　　非易失性：支持断电数据保持
　　读写模式：异步SRAM
　　数据保持电压：最小2.0V
　　最大工作频率：100MHz

MVU18-8FBK 采用先进的非易失性SRAM技术，结合了传统SRAM的高速读写性能与非易失性存储的优势。该芯片能够在电源中断时通过内部电源引脚（如 VCAP 或 VBACKUP）维持数据存储，确保数据不会丢失。其访问时间仅为10ns，适合需要高速响应的应用场景。此外，MVU18-8FBK 支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，以降低系统整体能耗。
　　该器件的电源电压范围为2.7V至3.6V，使其兼容多种电源管理系统。MVU18-8FBK 采用52引脚 FBGA 封装，体积小巧，便于在高密度电路板上布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该芯片内置数据保持电容接口，用户可通过外部电容或电池进行数据保持供电，增强系统可靠性。
　　在接口方面，MVU18-8FBK 支持标准的异步SRAM接口，兼容多种微处理器和控制器。地址线（A0-A14）和数据线（D0-D7）均提供标准TTL/CMOS电平兼容，便于与现有系统集成。控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持灵活的读写操作控制。

MVU18-8FBK 主要用于对数据存取速度和非易失性有较高要求的嵌入式系统。典型应用包括工业控制系统的高速缓存、网络设备中的临时数据存储、通信模块的数据缓冲、航空航天设备的飞行数据记录器、医疗设备中的实时数据存储等。此外，该芯片也适用于需要频繁读写且不能容忍数据丢失的场景，如电力系统监测设备、安全监控系统和车载控制系统等。

IS61WV2568GBLL-10BLLI、CY62148EDEI-45ZS、IDT71V416SA10PFGI、AS7C3256FTB-10SC