类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：800V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

MVU10-8RK 的主要特性之一是其高耐压能力，VDS 额定值为 800V，这使其非常适合用于高压电源应用，如离线电源、开关电源（SMPS）和 AC/DC 转换器。此外，该器件的导通电阻较低，Rds(on) 最大为 1.2Ω，在运行过程中能够减少功率损耗并提高整体效率。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，最大功耗为 75W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-220 封装形式不仅便于安装和散热，还适用于多种 PCB 设计。
　　MVU10-8RK 的栅极驱动要求相对较低，支持 ±30V 的 VGS 电压范围，这使其兼容多种驱动电路，包括常见的 PWM 控制器。此外，该器件的开关速度快，适合用于高频开关电路，从而减小电源系统的体积和重量。
　　由于其高可靠性和耐用性，MVU10-8RK 适用于工业控制、家用电器、照明系统、电池充电器等多种应用场景。该器件的制造工艺确保了良好的一致性和长期稳定性，适合在严苛环境下使用。

MVU10-8RK 常见于各种电源管理和功率控制电路中。它广泛用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，适用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器。此外，该 MOSFET 可用于电机驱动器和直流马达控制器，实现对马达速度和方向的精确控制。
　　在照明系统中，MVU10-8RK 可用于电子镇流器和 LED 驱动电路，实现高效节能的照明控制。它还适用于电池管理系统，如电动工具、电动自行车和储能系统的充放电控制。
　　工业自动化设备中，MVU10-8RK 可作为高电压负载的开关元件，如继电器驱动、加热元件控制和传感器电源管理。同时，该器件也可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，以实现高效的能量转换。

STP12NM80, FQA13N80, IRF840