时间：2025/8/17 6:39:18
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MVPG15BAZ 是一款由意大利半导体制造商STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电池充电器、电机控制以及各种开关电源应用。MVPG15BAZ 采用了ST的专有技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，从而在高频率开关操作中实现较低的传导损耗和优异的热性能。该器件采用紧凑型封装，便于在有限空间内进行高效散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为55mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：典型值为32nC
最大工作温度：175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
MVPG15BAZ 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为55mΩ，这在同类产品中表现优异。此外，MVPG15BAZ 具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行，且不易发生热失效。其栅极电荷较低，使得开关速度更快，从而降低开关损耗，适合用于高频开关应用。MVPG15BAZ 还具备良好的热稳定性，得益于其优化的封装设计，能够在高温环境下保持良好的散热性能。此外，该器件的栅极耐压能力高达±20V，提供更强的抗过压和抗静电能力，增强了其在工业环境中的可靠性。MVPG15BAZ 还具有较宽的工作温度范围（最高可达175°C），适合用于严苛的工业和汽车应用。
MVPG15BAZ 主要用于需要高效功率管理的电子系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及各种开关电源（SMPS）。由于其高电流能力和低导通电阻，它也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。此外，MVPG15BAZ 在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动电路和工业电源模块。由于其高可靠性和优异的热性能，MVPG15BAZ 同样适用于需要长时间运行和高负载能力的工业设备。
STP15NK60Z, FDPF15N60, IPP15N60C3
