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BSW12 发布时间 时间:2025/9/3 9:50:54 查看 阅读:10

BSW12 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET晶体管,主要用于高频率开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计,以提供优异的导通性能和开关特性。BSW12通常被用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电器以及各种高频功率转换设备中。其封装形式多为TO-220或DPAK等,便于散热和安装。

参数

类型: N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds): 60V
  最大漏极电流(Id): 12A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)): 0.15Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg): 20nC
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: TO-220, DPAK
  功率耗散(Ptot): 50W

特性

BSW12 MOSFET具备多项优异特性,适用于高性能电源系统。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,在连续漏极电流方面表现优异,适合用于大功率输出的应用场景。
  在开关性能方面,BSW12的栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,使其适用于高频开关电路。其快速的开关响应时间也有助于提升整体电源系统的动态响应能力。
  热性能方面,BSW12采用了优化的封装设计,具备良好的散热能力,确保在高功率操作下仍能维持稳定的工作温度。这种特性使其能够在高温环境下可靠运行,提高了器件的耐用性和稳定性。
  另外,该MOSFET具有较强的短路耐受能力,可在一定时间内承受过载电流,从而提升系统的安全性和可靠性。BSW12还具备良好的抗静电能力(ESD),能够有效抵御静电放电对器件造成的损害。

应用

BSW12广泛应用于各种电源管理与转换设备中,尤其适合高频开关电源和DC-DC转换器的设计。在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器及电源适配器中,BSW12可用于高效能功率转换模块。
  在工业控制领域,BSW12常用于电机驱动器、工业电源模块和不间断电源(UPS)系统中,提供高效、稳定的功率开关功能。同时,该器件也适用于LED照明驱动电路,尤其是在高亮度LED应用中,可以有效提升电源转换效率。
  在汽车电子系统中,BSW12可用于车载电源转换器、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器等设备,满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。

替代型号

STP12NM60ND, FDPF12N60, IRFZ44N

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