时间：2025/9/10 12:34:23
阅读：5
MVK16VC10RMD55TP是一款由Vishay Siliconix制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高性能开关的场合。MVK16VC10RMD55TP采用紧凑型PowerPAK 1212-8封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度电路设计。
类型：功率MOSFET
技术：TrenchFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：4.3W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK 1212-8
MVK16VC10RMD55TP的主要特性包括其先进的TrenchFET技术，这使得它在同类产品中具有更低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件的10mΩ Rds(on)在Vgs=10V时能够显著降低功率损耗，提高能效。
此外，MVK16VC10RMD55TP的额定漏极电流为16A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。该器件的封装设计优化了热管理性能，确保在高功率密度应用中保持良好的散热能力。
其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于极端环境下的工作条件。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了其在高压环境中的稳定性，防止因电压尖峰而导致的损坏。
由于其紧凑型PowerPAK 1212-8封装，MVK16VC10RMD55TP在PCB布局中占用空间小，有助于实现更紧凑的设计，特别适合空间受限的应用场景。
MVK16VC10RMD55TP广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备、电信基础设施、汽车电子系统等。
在DC-DC转换器中，MVK16VC10RMD55TP的低Rds(on)和高电流能力使其成为高效能功率开关的理想选择；在电池管理系统中，它用于实现高精度的充放电控制和保护机制；在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统、电动刹车系统等关键部件。
此外，MVK16VC10RMD55TP还可用于高可靠性工业设备中的电机控制、LED照明驱动、不间断电源（UPS）系统等，满足高性能和高可靠性需求。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF7413PBF, NexFET CSD17551Q5A
