时间：2025/9/9 23:51:23
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MVE400VD10RML17TR 是一只由 Vishay Semiconductors 制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。这款 N 沟道增强型 MOSFET 采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），适用于表面贴装技术（SMT），具有良好的热性能和高电流承载能力。该器件常用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：400A（Tc=25°C）
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：250nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263（D2PAK）
MVE400VD10RML17TR 是一款高性能功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和耐高压特性使其适用于大功率应用，如 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电动工具和汽车电子系统。
该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能，降低了开关损耗。其封装设计具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。此外，MVE400VD10RML17TR 还具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。
该器件广泛应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，也常用于电动工具、电动车辆（如电动自行车、电动滑板车）的功率控制电路中。
SiZ440DT, IRLB4030PBF, FDP400N10A, IXFN410N10T
