电容值：330pF
　　额定电压：100V
　　容差：±20%
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装类型：径向引线
　　尺寸：1812（4.5mm x 3.2mm）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）

MVE10VC331MH10TP电容器采用C0G（NP0）陶瓷介质，具有出色的温度稳定性和频率稳定性。其电容值随温度变化极小，通常在-55°C至+125°C范围内变化不超过±30ppm/°C。这使其非常适合用于对精度要求极高的电路，例如振荡器、滤波器和定时电路。
　　此外，该电容器具有较低的介质损耗（tanδ），确保在高频条件下仍能保持稳定的性能，减少能量损耗和发热。其额定电压为100V，适用于高电压环境，同时具备良好的耐压能力和长期可靠性。
　　MVE10VC331MH10TP的径向引线封装结构有助于提高安装稳定性，并增强机械强度，适合在振动或冲击较大的应用环境中使用。它还符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，符合环保要求，适用于绿色电子制造。

MVE10VC331MH10TP电容器广泛应用于多种高性能电子系统中。其主要应用包括射频（RF）电路、滤波器、振荡器和放大器等高频电路，由于其出色的温度稳定性和低损耗特性，特别适用于通信设备、无线基站和测试仪器。
　　在工业控制领域，该电容器可用于高精度测量设备、电源管理系统和自动化控制电路中，确保系统在不同温度条件下的稳定运行。
　　此外，MVE10VC331MH10TP也适用于消费类电子产品，如高端音频设备、精密传感器和智能穿戴设备，提供可靠的电容支持，提升整体电路性能。

Kemet C0805C331J1GACTU
　　Taiyo Yuden CC1812JG331JA
　　Murata GRM42-0GD331J101MV