工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：100 W（典型值）
　　漏极效率：超过65%
　　增益：20 dB（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　输入阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MV82110-C0-BBK1C000 的核心特性之一是其基于 GaN 技术的卓越性能，这种技术允许晶体管在更高的频率和更高的功率密度下运行，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。此外，该器件具备高击穿电压能力，使其能够在较高的漏极电压下稳定工作，适用于多种高功率放大应用场景。
　　该晶体管具有优异的热管理能力，其封装设计优化了热传导路径，确保在高功率操作期间能够有效散热，从而提高可靠性和寿命。这种特性对于长时间运行的系统，如基站和雷达设备，至关重要。
　　此外，MV82110-C0-BBK1C000 提供了良好的线性度和低失真性能，使其适用于需要高信号保真度的应用，例如无线通信和测试设备。其20 dB 的典型增益意味着可以实现高效的信号放大，而无需额外的中间放大级，从而简化系统设计并降低整体成本。
　　该器件还具备良好的输入匹配性能，标准输入阻抗为 50 Ω，方便集成到现有的射频电路中。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保其在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适用于户外设备和工业控制系统。

MV82110-C0-BBK1C000 主要应用于需要高功率射频放大的系统中，例如蜂窝通信基站、WiMAX 和 LTE 基站、雷达发射机、工业射频加热设备以及医疗射频治疗仪器。由于其高效率和高功率密度的特性，它也被广泛用于测试和测量设备中的信号放大模块。
　　在无线通信领域，MV82110-C0-BBK1C000 可作为基站功率放大器的核心元件，提供高输出功率和优异的线性度，从而提升信号覆盖范围和传输质量。在雷达系统中，该晶体管可用于发射模块，提供高脉冲功率输出，确保雷达探测距离和分辨率的稳定性。
　　此外，由于其良好的热管理和宽工作温度范围，MV82110-C0-BBK1C000 也适用于恶劣环境下的工业应用，如高功率射频加热和等离子体发生器。在医疗领域，该器件可用于射频消融设备，提供稳定且可控的射频能量输出，以实现精确的治疗效果。

MV82110-C0-BBK1C000 的替代型号包括：MRF1K50GN-60-RH（NXP）、CGH40100（Wolfspeed）、GAHV-5110（General Atomics）、AMF-4D150GN-20B（Ampleon）