时间：2025/8/29 6:55:44
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MV57640C3R0 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用 N 沟道增强型设计，适用于高效率功率转换应用。这款器件封装为 PowerPAK SO-8，具备良好的导通性能和较高的耐压能力。MV57640C3R0 适用于各种电源管理场合，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。该器件具有较小的导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：PowerPAK SO-8
最大漏极电流（ID）：40 A
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻 RDS(on)：典型值 3.0 mΩ @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：约 34 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
MV57640C3R0 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和出色的热性能。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通损耗和优异的开关性能。其 PowerPAK SO-8 封装设计有助于提高散热效率，并减少 PCB 占用空间。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够在高应力条件下保持稳定工作。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频开关电源应用。其低栅极电荷（Qg）可减少驱动损耗，提高整体效率。此外，MV57640C3R0 在不同温度条件下的性能稳定，确保在恶劣环境下仍能正常运行。
由于其高集成度和优异的电气性能，MV57640C3R0 成为高性能电源设计中的理想选择。其设计考虑了 EMI 优化，有助于降低电磁干扰，提升系统的电磁兼容性。
MV57640C3R0 常用于高性能电源转换系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，该器件可以提供高效率和可靠的功率控制。此外，它也适用于需要高电流密度和高效率的便携式设备电源管理电路。
在电源管理应用中，MV57640C3R0 可作为主开关元件，用于调节输出电压或电流。其低导通电阻特性使其在同步整流拓扑中表现优异，有效降低导通损耗并提高转换效率。同时，该器件的高电流承载能力使其适合用于大功率负载切换场合。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF6717TRPBF, SQJA40EP-T1_GE3
