类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：70nC
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

MV50VC10RMF55TP具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)）为10mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件的最大漏极电流为50A，最大漏源电压为100V，适用于高功率应用场景。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-263封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于安装在PCB上，适合表面贴装工艺。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为70nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。
　　在可靠性方面，MV50VC10RMF55TP采用了先进的硅工艺和封装技术，确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。它具备良好的抗静电能力和过热保护性能，能够有效防止因异常工作条件导致的损坏。此外，该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，有助于提高系统的整体安全性和稳定性。

MV50VC10RMF55TP广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其优异的导通特性和高可靠性，该器件特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源管理场合。此外，在新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电模块和储能系统中，MV50VC10RMF55TP也发挥着重要作用。其高电流能力和低导通损耗使其成为设计高性能电源转换系统时的理想选择。

SiHF50N100E、IRF540N、FDP50N10、FDMS86101、IPB01N100C4