时间：2025/8/14 15:53:24
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BSS84HT/R是一款由英飞凌（Infineon）生产的P沟道增强型MOSFET场效应晶体管，适用于高频率和高效率的电源管理应用。这款晶体管具有较小的导通电阻、优异的热稳定性和可靠性，广泛用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100mA
功耗(PD)：300mW
导通电阻(RDS(on))：5Ω @ VGS = 10V
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
BSS84HT/R具有低导通电阻的特性，这使得它在开关过程中能够减少能量损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在3.3V至20V之间正常工作，使其适用于多种电压级别的设计。
其SOT-23封装形式不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还具备良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。此外，BSS84HT/R具备优良的热阻特性，有助于在高负载条件下维持较低的温升，从而提高系统可靠性。
由于其快速开关特性和低输入电容，BSS84HT/R非常适合用于高频应用，如同步整流、负载开关和逻辑电平转换电路。该器件还具有良好的抗静电能力，能够在制造和使用过程中提供更高的耐用性。
BSS84HT/R常用于便携式电子设备的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器。它也适用于工业控制系统中的低功率开关电路、LED驱动电路、电池管理系统以及各种逻辑电平转换应用。此外，由于其优异的开关性能，BSS84HT/R也可用于通信设备和传感器电路中的负载开关。
BSS84, BSS84P, FDV303P, DMG3415V
