类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电压 VDSS：100 V
　　最大栅极电压 VGSS：±20 V
　　最大漏极电流 ID：160 A（在 TC=25°C）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 1.8 mΩ（在 VGS=10 V）
　　最大功耗 PD：260 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK? 8x8

MV25VC101M8X6TP 的核心特性包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使得该器件适用于高功率应用场景，如 DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统。此外，该 MOSFET 具有快速开关速度，降低了开关损耗，提高了整体系统性能。PowerPAK? 8x8 封装结构不仅提供了优异的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了装配的可靠性和空间利用率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适用于多种控制电路配置。MV25VC101M8X6TP 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适合用于汽车电子和工业自动化等严苛工作条件。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，可在负载突变或短路情况下提供一定的保护功能，提高系统的可靠性。

MV25VC101M8X6TP 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中，包括但不限于：电动汽车（EV）充电系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统（如服务器电源、电信设备电源）、工业自动化控制电路以及高功率 LED 驱动器等。此外，该器件也非常适合用于电池供电设备中的功率开关，如无人机、电动工具及储能系统。

SiZ104DT, SQJQ160EL, IPB017N10N3 G, FDS4410A