类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向压降（VF）：典型值850mV（在1A, 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在25°C, 60V下）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　封装/外壳：SMC（表面贴装）
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限制时间）
　　零件状态：活跃
　　系列：MURS

MURS120TRPBF的核心优势在于其优异的电学性能与高度可靠的封装技术相结合，提供了一种高效的解决方案用于低压大电流整流场合。
　　首先，该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成整流效应，显著降低了传统PN结二极管中存在的正向导通压降。相比普通整流二极管通常在0.7V以上的VF值，MURS120TRPBF在1A电流下的典型正向压降仅为850mV，这不仅减少了功率损耗，还提升了整个电源系统的转换效率，尤其适合电池供电或节能型设计。
　　其次，由于肖特基二极管本质上是非少数载流子存储型器件，因此它几乎不存在反向恢复电荷（Qrr）问题，反向恢复时间（trr）被控制在30纳秒以内。这一特性使得它在高频开关电源中表现卓越，能够有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提高系统稳定性和安全性。
　　再者，MURS120TRPBF采用SMC表面贴装封装，外形尺寸紧凑（约4.6mm x 7.1mm x 2.2mm），便于自动化贴片生产，提高了组装效率并节省了PCB空间。该封装具有良好的热传导路径，通过底部焊盘可将热量有效地传递至PCB地层，增强散热能力，使器件能在较高环境温度下长期稳定工作。
　　此外，该器件经过严格的质量控制流程，具备高抗浪涌电流能力（可达30A瞬时峰值），可在启动或负载突变等异常工况下提供额外的安全裕度。其宽泛的工作温度范围（-65°C 至 +125°C）也确保了在极端环境下依然保持功能完整性，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。
　　最后，作为绿色电子元件，MURS120TRPBF遵循RoHS指令，不含有害物质如铅、镉、汞等，并支持无铅回流焊接工艺，兼容现代环保制造标准。

MURS120TRPBF常用于多种中低功率电源拓扑结构中，尤其是在强调效率与响应速度的设计里发挥关键作用。
　　在AC-DC适配器和小型开关电源中，它常被用作次级侧整流元件，特别是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑中替代传统的快恢复二极管，以降低导通损耗并改善热管理。
　　在DC-DC转换器中，无论是隔离型还是非隔离型架构，MURS120TRPBF都可用作续流二极管（Freewheeling Diode）或自举二极管，帮助维持电感电流连续性并防止反向电压损坏主开关器件（如MOSFET）。
　　此外，该器件适用于电池充电电路中的防反接保护和能量回馈路径管理，防止电池倒灌电流造成系统故障。
　　在太阳能充电控制器、LED驱动电源等领域，MURS120TRPBF凭借其低VF和快速响应能力，有助于提升整体能源利用率，减少发热，延长使用寿命。
　　工业控制系统中的继电器驱动电路、电机驱动H桥的箝位保护电路也是其典型应用之一，此时它起到吸收感性负载断开时产生的反电动势的作用，保护敏感半导体器件免受高压冲击。
　　同时，因其高可靠性与小型化特点，也被广泛用于网络通信设备、路由器、机顶盒、打印机等消费类电子产品中的板载电源模块。

MURS120TG
　　MURS120
　　SBM1060HE3_A/H
　　VS-1EFA1060PBF