时间：2025/8/9 15:36:17
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2SK3693-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，主要用于高频开关和功率转换应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通特性和开关性能。其封装形式为SOT-23，适用于需要高效能和小尺寸设计的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(ON))：1.8Ω @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2SK3693-01MR MOSFET具有多个优异的电气特性，使其适用于高频开关和低功耗设计。其导通电阻在VGS=4.5V时低至1.8Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的最大漏极电流为100mA，适用于低至中功率的开关应用。
该MOSFET的最大漏源电压为20V，能够在低电压系统中提供稳定的性能，同时具备良好的热稳定性。其栅源电压范围为±12V，确保了栅极控制的灵活性和稳定性。该器件的开关速度快，能够支持高频操作，适用于DC-DC转换器、负载开关和小型电机控制等应用场景。
2SK3693-01MR采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装形式具有良好的散热性能，确保在连续工作条件下保持稳定。此外，该MOSFET的可靠性高，适合在消费电子、便携式设备和工业控制系统中使用。
2SK3693-01MR MOSFET广泛应用于便携式电子产品、电池供电设备、小型DC-DC转换器、LED驱动电路以及低功耗开关控制电路。由于其低导通电阻和高频响应特性，它特别适用于需要高效能和紧凑设计的场合，如智能手表、蓝牙耳机、手持式测试仪器和小型电机控制模块。此外，该器件也可用于电源管理单元和负载开关应用，确保系统在不同负载条件下保持高效运行。
2SK2313, 2SK3018, FDV301N, 2N7000
