MURP35050CT 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高电压、大电流双共阴极肖特基整流器,专为高效率和高性能电源转换应用而设计。该器件采用TO-220-3封装,具有较低的正向压降和快速的开关特性,适用于开关电源、直流到直流转换器和续流二极管等应用场景。
最大重复峰值反向电压(VRRM):50V
最大平均整流电流(IF(AV)):35A
峰值正向浪涌电流(IFSM):350A
正向压降(VF):最大0.55V(在35A时)
反向漏电流(IR):最大0.5mA(在50V时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
MURP35050CT 是一款高性能的双共阴极肖特基整流器,其设计采用了先进的肖特基势垒技术,从而显著降低了正向压降,提高了能量转换效率。该器件的正向压降在额定电流下最大仅为0.55V,这意味着在工作过程中产生的热量更少,从而提高了系统的可靠性和稳定性。此外,MURP35050CT 的最大平均整流电流为35A,能够承受高达350A的峰值正向浪涌电流,使其适用于高负载条件下的应用。
该器件的反向漏电流非常低,在最大反向电压下仅为0.5mA,这有助于减少系统在非导通状态下的能量损耗。MURP35050CT 的工作温度范围为-55°C至+175°C,具备良好的热稳定性,适用于各种严苛环境条件下的应用。其采用TO-220-3封装,不仅便于散热,还具有良好的机械强度和电气绝缘性能,适合在高功率密度设计中使用。
MURP35050CT 主要应用于需要高效能电源转换的电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、电池充电系统和高频率整流电路。其低正向压降和高电流承载能力使其特别适用于高功率密度和高效率要求的设计中。此外,该器件还可作为续流二极管用于电机驱动和功率MOSFET或IGBT的保护电路中,以防止电压反冲对功率器件造成损害。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围,MURP35050CT 也适用于恶劣环境条件下的工业控制和自动化设备。
SB35050CT, MURP35050PT