时间：2025/12/23 22:48:01
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MURE8R60ACT 是一款基于 SiC（碳化硅）技术的 MOSFET 器件，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高温和高压环境下保持稳定的性能表现。MURE8R60ACT 的封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装，便于散热和安装。其主要应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等领域。
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：30nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-247
MURE8R60ACT 具有出色的电气特性和可靠性。
1. 使用碳化硅材料制造，提供更低的导通损耗和开关损耗，适合高效率应用。
2. 支持高频开关操作，有助于减小无源元件的体积和整体系统的尺寸。
3. 良好的热性能允许在较高环境温度下运行，并且可以减少外部散热器的需求。
4. 内置反并联二极管以支持续流功能，简化电路设计。
5. 高击穿电压确保了在高压场景下的稳定性和安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于广泛的工业及消费级产品。
MURE8R60ACT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
3. 电动车辆充电站和车载充电器。
4. 工业电机驱动和变频器。
5. 不间断电源（UPS）系统。
6. LED 驱动电源和其他高效能电力电子设备。
MURS6008TBD, CSD19536KCS, SCT2080KE
