类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：-20V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：-4.1A
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs = -4.5V，52mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN2020

DMG3415UFY4.TCT 具备低导通电阻的特性，能够在低电压应用中实现高效能的功率转换。其导通电阻在-4.5V的栅极电压下仅为28mΩ，在-2.5V时也仅为52mΩ，这使得该器件在低压系统中具有非常低的功率损耗。
　　此外，该MOSFET采用先进的Trench工艺技术，提供更高的器件密度和更优的热管理性能，从而在紧凑型设计中提供更高的可靠性。
　　DMG3415UFY4.TCT 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担。
　　该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装，适用于现代电子产品对环保的要求。DFN2020封装形式不仅节省空间，还具有良好的热传导性能，适合高密度PCB布局。

DMG3415UFY4.TCT 适用于多种低电压功率管理应用，包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器、同步整流器以及小型电机控制电路。其高效率和小型封装特性使其成为便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备）中的理想选择。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效能的电压调节和能量转换，帮助延长电池寿命。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率。
　　此外，DMG3415UFY4.TCT 也适用于需要高可靠性和紧凑设计的工业控制系统，如传感器模块、小型电机驱动器和LED照明驱动电路。

Si2301DS, FDN340P, DMG2305UX-7