型号：MURD620CTT4
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管配置：双共阴极
　　最大反向电压（VRRM）：200V
　　平均整流电流（IO）：6.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：75A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：1.55V @ 6.0A, TJ=150°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 200V, TJ=150°C
　　反向恢复时间（trr）：35ns @ IF=3.0A, IR=1.0A, dI/dt=100A/μs
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：双共阴极
　　热阻抗（RθJA）：约40°C/W（典型值，取决于PCB布局）

MURD620CTT4的核心优势在于其超快恢复能力与高电流处理性能的结合，使其在高频开关电源环境中表现出色。该器件的反向恢复时间（trr）仅为35纳秒，在快速开关过程中能显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提高整体电源系统的效率并简化滤波设计。每个二极管可承受高达6A的平均整流电流，并能在瞬态条件下承受75A的非重复浪涌电流，展现出良好的过载能力和可靠性。
　　器件在高温环境下的稳定性优异，最大工作结温可达150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛工作条件。其正向压降在高温下仍保持较低水平（1.55V @ 6A, 150°C），有助于减少导通损耗，提升能效。共阴极结构特别适用于全波整流或双路同步整流拓扑，简化了电路布局并减少了元件数量。
　　SMA封装具有较小的物理尺寸（约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm），便于实现高密度贴片组装，同时具备良好的散热性能，尤其在合理设计的PCB铜箔散热条件下，可有效控制温升。该器件通过AEC-Q101认证（若适用具体批次），可用于部分车载电源系统。此外，产品符合无铅和无卤素要求，满足现代环保法规如RoHS、REACH等标准，适合出口及高端消费类电子产品的使用需求。

MURD620CTT4常用于各类高频开关电源系统中，包括AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源等。其快速恢复特性使其成为PFC（功率因数校正）电路中的理想选择，特别是在连续导通模式（CCM）下工作的升压二极管应用中表现突出。在DC-DC转换器中，它可用作输出整流二极管，提供高效低损耗的能量传递路径。此外，该器件也适用于逆变电源、UPS不间断电源和太阳能微逆变器中的整流与续流功能。
　　在电机驱动和工业控制系统中，MURD620CTT4可用作感应负载的续流二极管，保护开关器件免受反向电动势损坏。其低反向恢复电荷（Qrr）有助于减少开关管关断时的电压尖峰，提升系统可靠性。在通信设备电源模块中，该器件因其紧凑尺寸和高性能而被广泛采用。同时，也可用于电池管理系统（BMS）或车载充电机（OBC）中的辅助电源整流环节。由于其具备一定的抗浪涌能力，还能在电网波动或启动冲击较大的场景中稳定运行。

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　　 "MURD620CTR",
　　 "MUR820CT",
　　 "ESAD62-0200A",
　　 "MBR20200CT",
　　 "STTH6R02"
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