时间：2025/4/30 16:56:41
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H27U2G8F2DTR-BC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，广泛应用于需要大容量数据存储的场景。这款芯片基于成熟的 NAND 技术，能够提供高可靠性和快速的数据读写性能，适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等。
存储容量：2Gb
接口类型：8位异步接口
工作电压Vcc：2.7V ~ 3.6V
待机电流：1μA（典型值）
数据保留时间：超过10年
擦写周期：100,000 次（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP-II (Thin Small Outline Package)
H27U2G8F2DTR-BC 具备以下主要特性：
1. 高密度存储能力，适合需要大容量的应用场景。
2. 支持页模式读取操作，可显著提升数据传输效率。
3. 内置错误检测和纠正功能，确保数据完整性和可靠性。
4. 提供多种块大小选择，便于灵活分配存储区域。
5. 超低功耗设计，减少系统整体能耗。
6. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
7. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
该器件通过优化内部结构，进一步提高了存储效率和稳定性，是现代数据存储的理想选择。
H27U2G8F2DTR-BC 主要应用于以下领域：
1. 嵌入式系统中的代码和数据存储。
2. 固态硬盘（SSD）以及其他存储设备。
3. 数码相机、摄像机等消费类电子产品。
4. 工业控制和自动化设备中的数据记录模块。
5. 网络通信设备中固件存储。
6. 医疗仪器及便携式健康监测设备。
其强大的存储能力和可靠的性能使其成为众多领域的首选方案。
H27UBG8T2BTR-NC, K9K2G08U1C, MT29F2G08ABAEAWP
