类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　封装形式：SOD-882
　　工作电压：3.3V
　　最大反向关态电压（Vrm）：5.5V
　　最大钳位电压（Vc）：9.2V（在测试电流1A下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：10A
　　响应时间（Td）：小于1ns
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

LNZ8F3V6T5G 的主要特性之一是其快速响应时间，能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应，从而有效保护下游电路不受损坏。
　　此外，该器件的钳位电压非常低，在1A测试电流下仅为9.2V，这意味着在发生瞬态事件时，它能够将电压钳制在较低水平，从而减少对受保护设备的冲击。
　　其SOD-882封装非常紧凑，适用于空间受限的高密度电路设计，同时具备良好的散热性能。
　　LNZ8F3V6T5G 还具有高可靠性，符合AEC-Q101标准，适合用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用领域。
　　该器件的低漏电流特性（在正常工作状态下小于1μA）也使其适用于低功耗设计，确保在不工作时对系统功耗的影响最小化。

LNZ8F3V6T5G 广泛应用于多种需要瞬态电压保护的场合，特别是在通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中。
　　例如，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可以有效保护USB接口、HDMI接口和RF信号线路免受ESD损害。
　　在工业自动化系统中，该器件可用于保护传感器信号输入和控制线路，提高系统稳定性和寿命。
　　在汽车电子中，该器件常用于保护车载通信总线（如CAN总线）和车载充电接口，以满足严格的汽车电子可靠性标准。
　　此外，它也适用于网络设备、安防摄像头和智能家居设备等产品中，以增强整体系统的抗干扰能力。

PESD3V3S1BL NXP, ESDA6V1W5B NXP, TVS3301EL-S13 Silego