时间：2025/8/14 16:45:25
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MURB3JG_R1_00001 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压、高频、快恢复二极管（Fast Recovery Diode），适用于高效率的开关电源、整流电路及逆变器应用。该器件具备低正向压降、高浪涌电流能力和优异的热稳定性，能够在高频率下稳定运行，是工业电源、适配器和LED照明等应用中的优选组件。
最大重复峰值反向电压：600V
最大平均整流电流：3A
正向压降（IF=3A时）：1.35V（典型值）
反向漏电流（VR=600V时）：5μA（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AC
MURB3JG_R1_00001 是一款性能优异的快恢复二极管，其主要特性体现在其电气性能和热管理方面。首先，该器件的重复峰值反向电压达到600V，使其适用于中高压整流应用，能够承受较高的电压应力。其次，其平均整流电流为3A，具备良好的电流承载能力，适用于中等功率的电源设计。
该器件的正向压降较低，典型值为1.35V，在3A电流下具有较高的能效表现，有助于降低系统功耗和热量生成。此外，MURB3JG_R1_00001 在高反向电压下的漏电流非常小，最大仅为5μA，确保在高温或高电压环境下仍能保持良好的稳定性。
在恢复特性方面，该二极管具有快速恢复时间（trr），通常在几百纳秒以内，适合高频开关应用，有助于提升电源转换效率。封装采用标准的TO-220AC形式，具备良好的散热能力，适合焊接在PCB上并进行散热设计。
此外，MURB3JG_R1_00001 具备较强的浪涌电流承受能力，可有效应对瞬时过载情况，提高系统可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。
MURB3JG_R1_00001 主要应用于各种电源系统和电路中，尤其适用于需要高压整流和高频开关的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）中的次级整流、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及逆变器系统中。由于其低正向压降和快速恢复特性，该器件在高效率电源转换器中表现出色，有助于提升整体能效。
此外，该二极管也广泛应用于工业设备、LED照明驱动器、适配器、充电器以及电机驱动电路中。在这些应用中，MURB3JG_R1_00001 能够提供稳定的整流功能，并在高频工作条件下保持较低的开关损耗，满足现代电子设备对高效、小型化和可靠性的要求。
MURB360CT、MURA3JG、BYW29-150、STTH3L06
