时间：2025/7/10 6:33:29
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MURA250T3G 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效和高温应用而设计。其先进的材料特性和结构优化使其在开关性能、热稳定性和功率密度方面表现出色。该器件适用于电动汽车充电器、光伏逆变器、电机驱动器等高要求场景，能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
额定电压：1200V
额定电流：250A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：80nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247-3
MURA250T3G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（1200V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.6mΩ），可有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度，有助于提高工作效率并降低开关损耗。
4. 碳化硅技术赋予其出色的热性能，在高达 175°C 的结温下仍能稳定运行。
5. 具备强大的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
6. TO-247-3 封装便于散热和集成，适合多种工业设计需求。
MURA250T3G 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和转换器，如不间断电源 (UPS) 和直流-直流转换器。
2. 新能源发电设备，例如太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 电动汽车 (EV) 相关应用，包括车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器。
4. 电机驱动和变频控制，用于家电、机器人和工业自动化。
5. 高效功率因数校正 (PFC) 模块，满足严格的能效标准。
MURS250T3G
MURA200T3G
C2M0280120D
