时间：2025/5/21 17:49:12
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MURA215T3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-220 封装形式。该器件适用于需要高电压耐受和高效开关的场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等电路设计中。
MOSFET 的工作原理是通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态。MURA215T3G 以其优异的电气特性和稳定性著称，能够满足多种工业应用的需求。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：7.8A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：0.65Ω
功耗：10W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
MURA215T3G 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合在高压环境下运行。
2. 低导通电阻，减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 抗雪崩能力强，能承受一定的过载条件。
6. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
MURA215T3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. 逆变器模块
4. UPS 不间断电源
5. LED 驱动器
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 电池充电管理系统
其高压和高效性能使其成为这些领域的理想选择。
MURS215T3G, MUR215T3, STP20NF55
