时间：2025/5/8 19:45:03
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MURA210T3G 是一款基于硅技术制造的 N 沟能量 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高性能应用设计。该器件采用了先进的沟槽式工艺，能够显著降低导通电阻，同时优化开关性能。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，适用于各种电源管理场景。
型号：MURA210T3G
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：187A
VGS（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：100nC
EAS（雪崩能量）：2.1mJ
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MURA210T3G 的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性。
1. 低导通电阻：4.5mΩ 的典型导通电阻使其在高电流应用中表现出色，降低了功率损耗。
2. 高电流处理能力：支持高达 187A 的连续漏极电流，适用于工业级大功率应用。
3. 快速开关特性：总栅极电荷仅为 100nC，从而实现高效的高频开关操作。
4. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +175°C 的极端环境下稳定运行，适合恶劣条件下的应用。
5. 雪崩能量保护：内置雪崩能量保护功能，增强器件在异常情况下的耐用性。
6. TO-247-3 封装：提供良好的散热性能和机械强度，便于安装和维护。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换的领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 太阳能逆变器和储能系统
6. 电动汽车充电基础设施中的功率管理
MURA210T3G 的高性能和高可靠性使其成为上述应用的理想选择。
MUR210T3G, IRF210, STP200N10F5
