类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：200V
　　最大RMS电压（VRMS）：140V
　　最大直流阻断电压（VDC）：200V
　　平均整流电流（IO）：8A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（半正弦波，8.3ms）
　　正向电压降（VF）：典型值0.87V，最大值1.0V（在8A，Tc=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值，25°C），5.0mA（最大值，125°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤35ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277（SMAF）

MUR820T具备多项关键特性，使其成为高效率电源设计中的理想选择。首先，其低正向电压降显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。在8A电流下，典型VF仅为0.87V，这在大电流应用中尤为关键，有助于减少发热并简化散热设计。其次，该器件拥有极短的反向恢复时间（trr ≤ 35ns），表现出接近理想的开关行为，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高频开关电源和DC-DC变换器。
　　此外，MUR820T采用双共阴极结构，允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，这种配置常用于中心抽头整流电路中，能够节省空间并简化PCB布局。该器件还具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM = 150A），可在瞬态过载或启动过程中提供可靠的保护，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）确保了在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业、汽车和通信等严苛应用场景。
　　封装方面，TO-277（SMAF）是一种小型化表面贴装封装，具有良好的热传导性能和机械强度，支持回流焊工艺，便于自动化生产。该封装还优化了引脚间距和散热路径，提升了功率密度。MUR820T通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、湿度、振动等可靠性测试中表现优异，适用于车载电子系统如车载充电机、DC-DC转换器和电机驱动等。此外，器件符合RoHS指令且为无卤素产品，体现了环保设计理念。综合来看，MUR820T在电气性能、可靠性、封装效率和环境适应性方面均达到了较高水平，是现代高功率密度电源系统中的优选器件。

MUR820T广泛应用于多种高效率、高频率的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为输出整流元件使用。其低VF和快速恢复特性有助于提升转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，尤其是低压大电流输出拓扑（如同步整流非隔离式Buck或Boost电路），MUR820T可用于续流或箝位功能，有效降低损耗并提高动态响应速度。
　　此外，该器件适用于逆变器系统，如太阳能微型逆变器或UPS不间断电源中的辅助电源部分，用于实现高效的能量回馈和电压箝位。在电机驱动和工业控制设备中，MUR820T常被用作感应负载的续流二极管，以吸收反向电动势，保护开关器件（如MOSFET或IGBT）。其高浪涌电流能力和高温稳定性也使其适合用于汽车电子系统，例如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的辅助电源整流环节。
　　由于其表面贴装封装形式，MUR820T特别适合紧凑型高密度PCB设计，可用于空间受限但功率需求较高的消费类电子产品和便携式工业设备。此外，在LED照明驱动电源中，也可作为次级侧整流元件，提升光效并延长灯具寿命。总之，MUR820T凭借其优异的电气特性和高可靠性，已成为通信、工业、汽车和消费电子领域中高性能电源设计的关键组件之一。

STPS8H200CT
　　MBR8200CT
　　VS-8ETH02-M3