时间：2025/5/22 14:35:21
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CBW321609U252T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以确保低导通电阻和高效率。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。其设计注重降低功耗并提升系统的整体性能。
CBW321609U252T 的封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，同时支持表面贴装技术（SMD），适合自动化生产和紧凑型设计需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：9A
导通电阻(R_DS(on))：2.8mΩ (典型值，V_GS=10V)
栅极电荷(Q_g)：17nC
开关速度：快速
工作温度范围(T_j)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
CBW321609U252T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少导通损耗，从而提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，有助于降低开关损耗。
3. 高额定电流能力，可以满足大功率应用的需求。
4. 工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境下的操作。
5. 封装形式支持表面贴装技术，简化了生产流程并提升了可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
CBW321609U252T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. LED 照明驱动电路中的功率级元件。
6. 各类消费类电子产品的高效功率转换模块。
IRFZ44N, FDP5570, AO3400
